更新时间:2026-02-20 02:34 来源:牛马见闻
5%和16.5%5%
<p id="4B42OSLL">面]对人工(智能驱动的内存芯片需求激增,韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程,<strong>战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产,以抢占行业“超级周期”红利。</strong></p> <p id="4B42OSLM">据韩国《朝鲜日报》报道,SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2-3月,在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度,生产规划前移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品,如高性能DRAM与HBM(高带宽内存)。</p> <p id="4B42OSLN"><strong>本轮提速扩产的背景,是全球AI数据中心扩张带来的服务器芯片需求井喷。</strong>KB证券数据显示,截至今年2月,主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%,短缺程度较去年四季度进一步加剧。三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收。</p> <p id="4B42OSLO"><strong>市场普遍预期供应紧张态势将持续至2027年。</strong>花旗集团预测,今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%,而需求增速则高达20.1%和21.4%。</p> <p>新产线提前数月投产</p> <p id="4B42OSLP">SK海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂,目标是明年5月竣工。该项目外部框架工程已完成约一半,6个洁净室中的3个正在同步建设中。这座三层结构的工厂规模相当于其清州M15X晶圆厂的6倍。</p> <p id="4B42OSLQ">据《朝鲜日报》报道援引知情人士,<strong>SK海力士准备在预定竣工时间之前启动试运行,最早可能在明年2-3月。</strong>公司计划在率先建成的洁净室快速安装设备,优先投产AI时代需求激增的高性能DRAM(如DDR5)和HBM产品。</p> <p id="4B42OSLR">三星电子正在平泽建设P4(第四工厂)晶圆厂,<strong>原定明年一季度竣工,现计划提前至今年四季度,生产时间表压缩约三个月。</strong>三星电子根据市场行情在内存和晶圆代工设备间灵活调配,P4预计将专注生产当前供应紧张的高性能内存。据悉,三星电子最近制定战略,在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代(1c)DRAM生产线,该产线月产能预计达10万至12万片晶圆。</p> <p id="4B42OSLS">据《朝鲜日报》援引一位半导体行业人士:</p> <p></p> <blockquote id="4B42OSMA">"韩国内存企业为提前生产时间正处于非常忙碌的状态。"<br> </blockquote>产能扩张仍难追需求增速<p id="4B42OSLU">市场研究机构Omdia数据显示,三星电子的DRAM年产能(以晶圆计)将从2024年的747万片增至今年的817.5万片。SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片。<strong>随着新工厂提前投产,明年产量有望进一步增长。</strong></p> <p id="4B42OSLV">两家公司加速扩产的核心驱动力是AI数据中心扩张导致的服务器高性能DRAM需求激增。由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片,通用DRAM的产量相对减少,加剧了供应紧张。</p> <p id="4B42OSM0">KB证券指出:</p> <p></p> <blockquote id="4B42OSMB">"截至2月,内存芯片供应短缺强度较去年四季度加剧,主要客户的内存芯片需求满足率仅为60%。三星电子内存出货量的70%被AI数据中心企业吸收。"<br> </blockquote> <p id="4B42OSM2">花旗集团分析,今年DRAM供应增长率为17.5%,NAND闪存供应增长16.5%。相比之下,DRAM需求增长率预计达20.1%,NAND闪存需求增长率为21.4%,<strong>需求持续超过供应。</strong></p> <p id="4B42OSM3">晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测,<strong>内存供应短缺将持续至2027年。</strong>DS投资证券表示:</p> <p></p> <blockquote id="4B42OSMC">"如果2027年供应增长仅为1%,本轮DRAM周期将至少持续到2027年。以服务器为中心的DRAM需求与竞争力直接相关,难以轻易削减,价格上涨预计将持续至2026年三季度。"<br> </blockquote>企业确认大幅增加资本支出<p id="4B42OSM5">三星电子和SK海力士在最近的业绩发布会上均表示,<strong>将增加今年的资本支出以应对内存短缺</strong>。三星电子内存事业部副总裁Kim Jae-june表示:</p> <p></p> <blockquote id="4B42OSMD">"随着AI相关需求预计持续,我们计划在2026年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制,供应短缺现象可能加剧。"<br> </blockquote> <p id="4B42OSM7">这一表态凸显了半导体产能扩张的时滞特性。尽管企业加大投资并提前投产时间,但从建设到稳定量产仍需时间,短期内难以完全缓解供需失衡。</p> <p id="4B42OSM8">一位半导体行业人士解释提前试运行的战略意图:</p> <p></p> <blockquote id="4B42OSME">"这是为了快速进入试运行阶段,稳定量产系统,同时向客户发出能够稳定供应的信号。"<br> </blockquote>
Copyright ® 版权 所有:吉林日报
违法和不良信息举报邮箱:dajilinwang@163.com 违法和不良信息举报: 0431-88600010
ICP备案号:吉ICP备18006035号 网络经营许可证号:吉B-2-4-20100020
地址:长春市高新技术产业开发区火炬路1518号 爆料电话:0431-88601901